正文
) [1]。但迄今为止，实验实现铁电拓扑畴依然是星星之火。得益于超高分辨透射电子显微术及原子力技术的发展，铁电体中的神秘拓扑畴结构正在脱衣解带，令人津津乐道的故事包括：美国橡树岭国家实验室Kalinin小组采用扫描探针在BiFeO
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薄膜上施加电场，写出了涡旋畴和中心型拓扑畴，虽然尚缺乏稳定性和可控性 [2, 3]。Rutgers 大学Sang W. Cheong小组则在一些反常铁电体单晶(尤其六角锰氧化物中)中看到大范围vortex-antivortex 拓扑缺陷美景，其视觉炫目程度更甚于物理内涵魅力 [4, 5]。中科院金属所马秀良小组以及伯克利Ramesh小组采用球差校正高分辨电镜分别在PbTiO
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/SrTiO
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多层膜和超晶格中观察到自发的紧密排列涡旋畴阵列；他们分别在Science与Nature上撰文，引起广泛关注 [6, 7]。这两类类拓扑畴结构因为拓扑保护性而表现出很好稳定性，虽然他们在操控与反转这些畴结构方面依然未能尽兴。事实上，这种稳定性与可控性难以兼顾的困境已成为实现铁电拓扑器件应用的魔咒，获得高稳定性且可受外场操控与读写的铁电拓扑畴结构似乎是新一代高密度拓扑器件的关键性挑战。
过去三年多来，华南师范大学先进材料研究所(IAM)高兴森教授小组 (第一作者是博士生李忠文) 联合中科院金属所和深圳先进技术研究院等单位对稳定可调控铁电拓扑畴结构开展了艰苦探索，所经历的迷宫之路难以述说，但终究取得一些进展。他们刚刚在《Science》子刊《Science Advances》上发表了题为 “High density array of ferroelectric nanodots with robust and reversibly switchable topological domain state” 的研究论文，讲述了其中的一个故事。这里对这一工作略作叙述，以飱读者。
为实现稳定性与可操控性兼顾，作者采用高质量外延铁电纳米点实现对畴结构的调控，希望通过纳米点界面和表面效应来稳定拓扑畴，并打破阻碍操控的拓扑畴之间强耦合。最终，他们通过精细的矢量压电显微术获取了高质量的畴结构图像，并发展了三维畴结构重建分析方法。他们还算幸运，在高密度外延阵列BiFeO
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纳米点 (直径 ~ 60 nm)中观测到一类自发的中心型极化拓扑畴(属于vortex之一种)，包括中心发散型、中心收敛型、发散-收敛双中心型等形态(见图)。他们通过实验观测和相场模拟相结合，揭示出这类拓扑畴可产生于移动电荷含量较高的铁电纳米点中，通过畴核附近电荷富集降低退极化能来提升其稳定性。更有意义的是，通过扫描探针施加电场，可对这类拓扑畴进行翻转操控，实现中心收敛型与发散型拓扑畴之间往复切换(可实现“0”与“1”存储、写入与擦除)。这类结构可长时间稳定存在，且重复性较高。这一工作为进一步探索新型极化拓扑畴的产生及调控提供了某种思路。归因于这类拓扑畴的高度稳定性和往复翻转操控性，这一工作也为未来实现高密度拓扑电子学器件(如非易失随机存储或逻辑器件)提供了某种候选方案，虽然未必真的可行。
这一工作持续时间长、弯路多、付出大，收获也算是绿水微澜，其中依然有很多问题和不解之处，容当后继。一位师长曾给该工作主要作者高兴森老师写过几句话，以描绘其科研人生之滋味，曰：“
春风易绿花城老，秋酿难斟一夜高。岁月轮回忧乐往，此生无醉更亾聊
”。这是说：你们每日每夜都很辛劳，做出了很多结果和数据，做到花城广州都老了。只是到了秋天，用你们的收获酿成的美酒未必值得一夜不醉不归。不过，岁月流延、日复一日，当先天下忧而后天下乐，勉力去冥思苦想、潜心劳作。但如果一生没有几回快意陶醉之夜，那科研不是很无聊而无所依托了吗？！这里“亾”字很形象，表达了人遇到前面的障碍阻挡时采取的态度，是跨越阻挡还是就地停滞，乃是人生的不同。谨以前两句作为本文标题，以资心意。
The last but not the least，当鸣谢国家重点研发计划、973计划和国家自然科学基金委员会，也承蒙广东省珠江学者项目、广东省科技计划重点项目的鼎力支持。
图2. 高密度外延BiFeO3纳米点阵列及几种典型中心型拓扑畴。(A)为纳米点阵列SEM像。(B)为纳米点中中心畴压电显微镜(PFM)像及相应畴结构：从左到右分别为压PFM面外像、不同样品转动角度的PFM面内像、通过压电显微像合成的面内极化分布图及对应的畴结构示意图。从上到下分别为：中心收敛型畴、中心发散型畴、收敛-发散双中心畴、中心发散-收敛双中心畴。其中收敛-发散型和发散-收敛型可认为等价结构。(C) 图为拓扑畴富集电荷辅助形成的相场模拟图：分别为纳米点中心畴的柱状模型，以及上表面正电荷富集、负电荷富集、一半正-半负电荷富集所对应的三维极化分布图；(D)为样品的扫描热离子显微镜成像(STIM)的振幅分布图与形貌叠加的合成图，表明离子(如氧空位)在纳米点表面不均匀分布，可为电荷纳米点中不同电荷富集状态的佐证。
