专栏名称: 高分子科学前沿
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浙江大学侯阳教授团队,最新Nature系列综述!

高分子科学前沿  · 公众号  · 化学  · 2025-05-31 07:50

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O 2 电合成
H O 电合成
H O 的2e ORR电合成始于O 在催化剂表面吸附与部分还原 。催化剂特性决定生成H O(4e )或H O (2e )。O 在孤立活性位点上的端向吸附促进形成OOH中间体,对选择性生成H O 至关重要。酸性条件下:O +2H +2e H O (E=0.71Vvs.RHE)。碱性条件下(pH13):O +H O+2e HO ₂⁻ +OH (E=+0.74Vvs.RHE)。催化剂表面需精确调控OOH结合能(约4.22eV)。 催化剂研究包括贵金属( Au、Pd、Pt,如Pd-Hg活性比Au高两个数量级)、过渡金属单原子催化剂(如Co-N-C的H O 选择性达80%)和无金属碳催化剂(如杂原子掺杂或缺陷调控) 电解槽主要有三类: (1) H型槽: 电流密度100mAcm ² ,产率1mmolcm ² h ¹ ,受O 扩散限制。 (2) 流动槽 (带GDE) :电流密度>300mAcm ² ,产率1-10mmolcm ² h ¹ ,但存GDE浸水和欧姆电阻问题。 (3) MEA槽: 阴极直接置于膜上,欧姆损耗小,电流密度可达数 Acm ² ,但H O 积累可能导致其降解(自分解和电还原)。局部GDE界面碱化形成HO ₂⁻ 离子可减轻降解。
2 . H2O2电气合成的电解器
MEA 槽原理
典型 MEA 槽由两个 流场板(FFP)、阴极气体扩散电极(GDE)、阳极和离子交换膜(IEM)组成,共同管理O 、水和H O 的传质。 2a比较了 三种电解槽 :H型槽传质差;流动槽传质增强但有浸水和高欧姆电阻问题;MEA槽零间隙结构减少浸水和欧姆损耗,但局部H O 浓度高。图2b展示了单膜MEA槽及其组件特性。GDE:多层结构,含气体扩散层(常为疏水微孔碳层,0.1µm孔)、离聚物粘合剂和催化剂层。高催化剂负载(>0.5mgcm ² )可能堵塞GDE。GDE界面疏水改性(如PTFE处理)可防浸水,但PTFE不导电。电湿润现象(图3b,液滴接触角随电位降低)会影响GDE长期疏水性。具微裂纹的GDE(图3c)可减弱电湿润,如裂纹区10小时后接触角仍为91.4°,而致密区降至63.9°。电解质添加剂可调控水合环境:酸性介质中碱金属阳离子(如K






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