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总而言之，业界对于2017年仍然保持谨慎乐观。“客户继续像往常一样开展业务，虽然行动还显得有一些谨慎”，UMC的Ng说。
例如，OEM想要保持他们的库存精益，但同时，他们也面临着降低产品成本的压力。“这意味着（芯片制造商的）终端客户对成本依然非常敏感”，Ng说， “所以客户们都会来要求我们持续缩短制造周期，以满足他们产品上市的时间要求。”
根据IC Insights统计，汽车、数字电视、物联网和医疗电子在2017年及以后都是强劲增长的市场。
资料来源：IC Insights
固态硬盘（SSD）驱动器市场也很强劲，从而推动着NAND的增长。三星存储高级副总裁Chun Sewon表示：“由于高密度数据中心产品的不断增加，以及企业对闪存阵列的广泛采用，对服务器SSD的需求将保持强劲增长。”
然而，传统的平面制程NAND难以再缩小节点，因此，行业正在从平面向3D NAND演进。Lam Research全球产品部首席技术官Yang Pan说：“我们仍然处于3D NAND的早期，每单位面积的密度还将增加。”
Applied Materials公司营销和业务发展副总裁Arthur Sherman说：“展望未来，我们对虚拟和增强现实、大数据、人工智能和智能汽车的新兴应用发展充满期待。”
高端应用依赖FinFET
在代工业务方面，英特尔，三星和TSMC预计将在2017年从16nm / 14nm finFET转变为10nm finFET。英特尔和三星都认为10nm将是一个重要的工艺节点。
相比之下，台积电表示10nm是一个过渡性节点，其在2017年更加强调7nm。而GlobalFoundries跳过了10nm，直接来到7nm。
目前，关于制程节点，众说纷纭，界线并不清晰，甚至有些混乱。首先，10nm和7nm的定义和规格就有些模糊。另外，当这些技术的设计和工艺成本对于大多数公司来说过于昂贵时，代工厂都在竞相追逐采用这些先进工艺节点的、数量有限的客户，激烈的竞争就难免会出现无序的状况。
“台积电和三星有不同的策略，”Gartner分析师王小龙说：“台积电认为10nm是一个过渡节点，TSMC鼓励客户使用7nm以及12nm，这是16nm的衍生产品。只有少数客户使用台积电的10nm，他们的10nm晶圆产量将在2017年开始上升，但在2019年将下降。”
台积电预计将于2017年初进入7nm风险生产。“我们的7nm不仅被高端移动客户采用，还被高性能计算客户采用，包括GPU、游戏、PC和平板电脑，虚拟现实、服务器、FPGA、汽车和网络应用，”台积电总裁兼联席CEO Mark Liu在最近的一次电话会议上说。
事实上，台积电计划在7nm打败其竞争对手，为此，它将现有的193nm浸入和多重图案化技术用于7nm，这被认为是一个复杂的方案。foundry厂宁愿使用极紫外（EUV）光刻，这将简化图案化流程。但是，EUV将不能及时为台积电的7nm时间表做好准备，因此计划在5nm引入EUV。
相比之下，三星计划等到EUV准备就绪，再导入7nm技术。“没有EUV，7nm技术实现太难，”三星半导体代工业务高级副总裁洪浩说：“这将带来更高的掩模层数和更高的制造复杂性。”
总部设在香港的全球技术基金eFusion的首席执行官Dan Heyler表示：“对于7nm，台积电和三星的时间表是非常激进的。台积电似乎处于领先地位。”
在7nm，以三星为代表的厂商都在押宝EUV，EUV也在不断进步，但它还没有完全为量产做好准备，电源、抗蚀剂和掩模仍然存在问题。
