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恩智浦微控制器部总经理Geoff Lees表示：“如果没有28nm的FD-SOI，我认为这根本不可能。”
高端汽车SoC将运行多达8个1080逐行显示器，而且没有风扇。Lees表示，它的运行条件足以杀死手机，可靠性提高了三个数量级。
3月份公布的i.MX 7ULP包括独立应用和实时领域。它针对从家庭自动化到可穿戴产品的广泛市场。
长期来看，Lees表示，FD-SOI承诺更好的ADC和更低的功率无线电。例如，他希望单天线802.11n Wi-Fi能够出现在Zigbee和其他802.15.4协议的功率预算中，并有能力将蓝牙低能耗提升到创记录的功率级别，以新的成本开发新的应用。
早期风险选择后的其他计划
恩智浦的这一举动是一个冒险的赌注，当时从28nm平面到16nm FinFET的飞跃对于大多数NXP微控制器来说似乎太大了。 四年前，恩智浦正在使用三星的第二代28LPP，并评估其第三代28nmLPA，当时，三星向NXP展示了它们来授权自ST的FD-SOI工艺。
“我们决定进行100%的跳跃……即使工艺评定还有1年时间，我们甚至不了解路线图……我们未进行考察便开始了行动。”Lees说。
恩智浦的评估显示，台积电的28ULP工艺或多晶硅替代的汽车认证可能更加困难和受限。 Lees表示，这些节点同样缺乏FD-SOI的模拟和RF优势。
恩智浦显然没有评估最近公布的选项，如台积电22ULP和英特尔22FFL。
Globalfoundries产品营销高级副总裁Alain Mutricy说：“我们至少有10种掩膜优势，请留意，22nm FD-SOI使用的掩膜不足40种。所以晶圆厂的周期只有一个月，甚至就在二月份，利用我们的衬底偏压方案，你可以得到获得很多优势，类似于下一个FinFET节点，以及更低电压的物联网产品。”
Globalfoundries的PDK 1.2工艺将于6月份推出，它的目标是商业产品。他展示了EDA工具和尚未完成认证的节点IP。他表示：“我们已经准备好了演出。”
