全球首个无半导体的微电子环路问世，导电性能增加10倍

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近日，加利福尼亚大学圣地亚哥分校（University of California San Diego）的工程师利用超材料（metamaterials）研发出 世界上首个无半导体的光控微电子器件 ，该电子器件仅在低电压、低功率激光的激发下， 导电性能相比传统增加10倍 。该技术有利于制造更快、更高功率的微电子器件，并有望制造更高效的太阳能电池板。

该研究发表于11月4日的国际期刊《Nature Communications》。

无半导体电子器件。图片来源：UCSan Diego Applied Electromagnetics Group

现有的传统微电子器件，如晶体管等，其性能最终都会受到其构成材料性能的限制。例如，半导体本身的性质限制了器件的导电性或电子流。因为半导体有所谓的带隙，这就意味着需要施加一定的外部能量来促使电子跃过带隙。此外，电子速度也是有限制的，因为当电子通过半导体时，总是会与半导体内部的原子发生相互碰撞。

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