诺思微系统建设亚洲首座具有完整IP的FBAR晶圆厂，打造中国MEMS产业基地

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诺思微系统的天津工厂：已投产一条FBAR晶圆生产线和一条工艺研发线。厂房和研发中心总占地面积2.7万平方米

诺思微系统的南昌工厂：建有两条FBAR晶圆生产线，厂房和研发中心总占地面积5万平方米，预计2018年Q3开始投产

深入了解晶圆制造过程

诺思微系统的整座晶圆厂是一个高标准的无尘室，为了保持生产环境的绝对洁净，外来的空气必须先经过精细的高效过滤，将比头发丝小50倍的0.1微米的颗粒都挡在洁净室外。无尘室中的温度、湿度、静电、压力、磁场以及震动等都需要严格控制，而制造集成电路所需要的纯水、化学品与气体等，则是从无尘室外围透过纵横分布的管道，直接输送到各类制造设备上。

诺思微系统的RF MEMS产品是通过MEMS技术在半导体晶圆上制作FBAR芯片。如果将一颗芯片放大来看，可以看到微小的芯片由两层芯片键合而成，更微小的主体工作结构-谐振器，就处于芯片之间。

MEMS制作原理与传统的CMOS工艺有很多相似之处，如光刻、薄膜沉积、刻蚀、化学机械抛光工艺等，但是有些复杂的微结构难以用CMOS工艺实现，必须采用MEMS加工技术制造。

MEMS产品制作在硅衬底上，首先将硅从沙中提炼并纯化，经过特殊工艺生产出硅锭，再经切割得到用于制造MEMS芯片的薄硅片。

然后再经过各种清洗、成膜、光刻和刻蚀等工艺，将芯片制造出来。通常制造一个MEMS产品需要十至二十层掩膜，层与层之间的对准必须非常精确。简单地说，相关产品的生产就是把一个个掩膜图形，采用曝光、显影、淀积、刻蚀等工艺把设计图按层复现在晶圆上，加上如牺牲层制作和释放等特殊工艺处理形成微动机构，最后通过减薄等工艺，制造出成品的芯片。

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