进展 | 基于忆耦器同时实现非易失性多态存储器和逻辑门

中科院物理所 · 公众号 · 物理 · 2017-02-20 10:23

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_0.28 Dy _0.72 Fe _1.95 )，制备了Ni/PMN-PT/Ni忆耦器，实现了非易失性两态和多态存储器。更为重要的是，他们基于单个Ni/PMN-PT/Ni忆耦器实现了非易失性通用逻辑门NOR和NAND。这一成果表明忆耦器与忆阻器类似，可以兼有信息存储和布尔逻辑运算的功能，因而有望用于实现非冯诺依曼结构的下一代计算机。此外，研究生鲁佩佩等基于有机铁电体制备出Cu/P(VDF-TrFE)/Metglas和Cu/P(VDF-TrFE)/Ni有机忆耦器，并成功实现了非易失性多态信息存储。有机忆耦器有望在未来用于柔性可穿戴电子器件。

图3. 基于忆耦器实现非易失性逻辑门NOR

这些系列研究进展表明，忆耦器在开发下一代信息功能器件方面具有巨大的潜力。与目前人们广泛关注的忆阻器相比，忆耦器具有更低功耗和并行信息处理等优点。以上研究成果分别发表于Phys. Rev. Applied 6, 021001 (2016)；Phys. Rev. Applied 6, 064028 (2016)；Sci. Rep. 6, 34473 (2016)；Appl. Phys. Lett. 109, 252902 (2016)。在2016年11月于美国新奥尔良举行的第61届国际磁学与磁性材料大会（MMM）上，孙阳研究组关于忆耦器的工作被评为大会最佳张贴报告奖（Best Poster Award），是中国地区（包括台湾、香港和澳门）唯一获得该奖项的工作。

图4. 基于忆耦器实现非易失性逻辑门NAND。

该研究获得了国家自然科学基金、科技部和中国科学院项目的支持。
相关文章链接：
1. http://journals.aps.org/prapplied/abstract/10.1103/PhysRevApplied.6.021001
2. http://journals.aps.org/prapplied/abstract/10.1103/PhysRevApplied.6.064028
3. http://www.nature.com/articles/srep34473
4. http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4972304

编辑：J.C.