作者｜Jimmy 校对｜木棉
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集微网消息，据businesskorea报道，代工咨询公司IBS 5月15日宣布，三星电子在 GAA技术方面领先台积电(TSMC)一年，领先英特尔(Intel)两到三年。GAA技术是下一代非存储半导体制造技术，被视为代工行业的突破者。
三星已被评估在FinFET工艺方面领先于全球最大的代工企业台积电。FinFET工艺目前是主流的非存储半导体制造工艺。
这意味着三星在当前和下一代代工技术上都领先于竞争对手。
三星于当地时间5月14日在美国Santa Clara举行的2019年三星代工论坛上宣布，将于明年完成GAA工艺开发，并于2021年开始批量生产。
GAA工艺有望改变代工行业的格局。目前，代工行业的竞争是基于半导体的小型化。然而，缩小半导体的尺寸是有限制的。因此，GAA技术改变了半导体的结构，使其更强大。所有的芯片制造商现在都致力于巩固这项技术。
“自10纳米芯片时代开始，FinFET工艺已成为代工行业的主流技术。但FinFET工艺在半导体小型化方面有其局限性。GAA旨在克服这一限制，” 一位业内人士表示。“GAA技术可能成为三星电子的秘密武器，该公司的目标是在2030年在非存储领域占据首位。”
另一位分析师表示:“三星已经从7纳米产品时代超越了台积电，并完成了5纳米FinFET工艺的开发。由于三星在GAA技术上领先于竞争对手，它将能够在未来的竞争中领先，尽管目前在市场份额上落后于台积电。”
去年，三星电子宣布将把GAA技术应用于其3纳米工艺。在加速技术发展的同时，公司还积极宣传其新技术。三星电子正在充分利用2019年三星代工论坛，以推动其技术进步。此次论坛上，三星向高通、苹果等非晶圆厂客户分发了一套3nm GAA工艺设计工具包。
工艺设计工具包是一个数据文件，帮助无晶圆厂公司设计芯片优化。这使得无晶圆厂的公司可以很容易地设计他们的产品，并实现更短的上市时间。尤其值得一提的是，与7纳米FinFET工艺相比，三星的GAA工艺可以将芯片尺寸和功耗分别降低45%和50%。
图源｜ 网络
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