一文看懂芯片的封装工艺（先进封装篇2：晶圆级封装）

正文

请到「今天看啥」查看全文

）。

RDL是 晶圆级封装（WLP）的核心技术 ，也是后面2.5D/3D立体封装的核心技术。在先进封装里，它占有重要地位。

它是在晶粒下面的中介层上进行重新布线，实现I/O端口的重新布局。

简单来说，它就像我们平时看到的PCB电路板。只不过，真正的PCB板是在芯片的外面，把各个成品芯片和元器件连起来。

而RDL，是封装内部的“PCB 板 ”，方便了 XY平面（横向平面）的电气延伸和互联。它 提升了封装内部电气连接的灵活性，能够让芯片内部布局更合理、更紧凑 。

基于RDL，晶圆芯片上的“细间距 ”外围阵列，可以变成“更大间距 ”阵列。

基于之前晶圆制造的文章，大家会发现，RDL很像晶粒内部的金属连线（立交桥）。

晶粒内的金属沉积

是的，RDL的工艺，和晶圆制作流程中的“盖楼”流程差不多（可以参考晶圆制作的那期），主要就是光刻、涂胶显影、刻蚀、溅射沉积、电镀铜等工艺。

RDL也属于将晶圆制造（ 前道 ）工艺降维到封装（后道）中使用。和凸点一样，也是中道工序。

目前，主流的RDL工艺有两种：

第一种，是基于感光高分子聚合物，并结合电镀铜与刻蚀工艺实现。

1、 在晶圆表面涂覆一层聚合物薄膜，可选的聚合物材料包括光敏聚酰亚胺（PI）、苯并环丁烯（BCB）以及聚苯并恶唑（PBO）。这是 为了增强芯片的钝化层并起到应力缓冲的作用。

2、加热固化后，使用光刻工艺在所需位置进行开孔，之后进行刻蚀。

3、 通过物理气相沉积工艺 （PVD ），溅射Ti（钛）与Cu（铜），分别作为阻挡层与种子层。

4、再来一波光刻、刻蚀工艺，把RDL层的空间给挖出来。

请到「今天看啥」查看全文