功能性碳纳米管CPU终于诞生

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”程序对芯片进行了测试。

舒拉克的团队与美国模拟器件公司的工程师以及之后的SkyWaterTechnology Foundry公司一起开发了3种用于制造RV16X-Nano的商业可行的技术：

1．制造碳纳米晶体管时，首先会将纳米管放入溶液中并铺在硅片上。 大多数纳米管会均匀地铺在硅片上，但有些纳米管会堆叠在一起滚成上千束，无法形成晶体管。在制造小型测试电路时，这没什么要紧，舒拉克解释说，因为即便有一束纳米管破坏了一条电路，其他的纳米管也还是会起作用。不过，在大型集成电路中（例如RV16X-Nano），纳米管堆叠的情况经常发生，可能会破坏整个处理器。

为了净化这种污染，研究人员开发出了一种名为“RINSE”的技术。 这种技术依据的原理是，单个纳米管会因为范德瓦尔斯力而比纳米管束更紧密地粘在基片上。 首先在纳米管覆盖的基片涂上一层光阻剂，然后仔细地将其洗掉，在适当的条件下，这一过程会选择性地清除掉纳米管束，而留下单个的碳纳米管。

2.虽然RINSE技术能够处理一种杂质，但另一种杂质差点毁掉了整个项目。 碳纳米管有两种基本特性：金属性和半导体特性。基于碳纳米管的逻辑门电路中如果有一些金属纳米管，则意味着该电路会浪费电力而且会产生噪声信号。那么，要制作一个处理器时，多少金属纳米管算过剩？

舒拉克团队得出的答案“非常令人沮丧”。 如今的商业工艺能够达到的最好的水平纯度为99.99%的半导体纳米管和0.01%的金属纳米管，然而，所需的纯度却是遥不可及的99.999999%。

“我们的想法是，如果不能想出解决的方法，那么我们就绕过它来进行设计。 ”舒拉克说。 他们的团队发现，到目前为止，要求高纯度的主要原因并不是电力问题，而是噪声。 他们注意到，在他们制造的逻辑电路中，有的电路组合比其他电路更容易受到噪声的影响。 “这样一来，解决方案就简单了：

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