正文
虽然FOWLP可满足更多I/O数量之需求。然而，如果要大量应用FOWLP技术，首先必须克服以下之各种挑战问题：
（1）
焊接点的热机械行为：
因FOWLP的结构与BGA构装相似，所以FOWLP焊接点的热机械行为与BGA构装相同，FOWLP中焊球的关键位置在硅晶片面积的下方，其最大热膨胀系数不匹配点会发生在硅晶片与PCB之间。
（2）
晶片位置之精确度：
在重新建构晶圆时，必须要维持晶片从持取及放置（Pick and Place）于载具上的位置不发生偏移，甚至在铸模作业时，也不可发生偏移。因为介电层开口，导线重新分布层（Redistribution Layer; RDL）与焊锡开口（Solder Opening）制作，皆使用黄光微影技术，光罩对準晶圆及曝光都是一次性，所以对于晶片位置之精确度要求非常高。
（3）
晶圆的翘曲行为：
人工重新建构晶圆的翘曲（Warpage）行为，也是一项重大挑战，因为重新建构晶圆含有塑胶、硅及金属材料，其硅与胶体之比例在X、Y、Z三方向不同，铸模在加热及冷却时之热涨冷缩会影响晶圆的翘曲行为。
（4）
胶体的剥落现象：
在常压时被胶体及其他聚合物所吸收的水份，在经过220~260℃迴焊（Reflow）时，水份会瞬间气化，进而产生高的内部蒸气压，如果胶体组成不良，则易有胶体剥落之现象产生。
此外，市场的发展也给FOWLP封装技术带来了一定的挑战。
根据麦姆斯咨询的一份报告显示。尽管扇入型封装技术的增长步伐到目前为止还很稳定，但是
全球半导体市场的转变，以及未来应用不确定性因素的增长，将不可避免的影响扇入型封装技术的未来前景。
随着智能手机出货量增长从 2013 年的 35% 下降至 2016 年的8%，预计到 2020 年这一数字将进一步下降至 6%，智能手机市场引领的扇入型封装技术应用正日趋饱和。尽管预期的高增长并不乐观，但是智能手机仍是半导体产业发展的主要驱动力，预计 2020 年智能手机的出货量将达 20 亿部。
除了台积电之外，STATS ChipPAC（新加坡星科金朋）将利用JCET（江苏长电科技）的支持进一步投入扇出型封装技术的开发（2015年初，江苏长电科技以7.8亿美元收购了新加坡星科金朋）；ASE（日月光集团）则和Deca Technologies建立了深入的合作关系（2016年5月，Deca Technologies获日月光集团6000万美元投资，日月光集团则获得Deca Technologies的M系列扇出型晶圆级封装技术及工艺授权）；Amkor（安靠科技）、 SPIL（矽品科技）及Powertech（力成科技）正瞄准未来的量产而处于扇出型封装技术的开发阶段。三星看上去似乎有些落后，它正在抉择如何参与竞争。
TechSearch International总裁Jan Vardaman指出，在iPhone 7内部，主要的印刷电路板（PCB）上包含了43种其他晶圆级（wafer-level）封装，照明电缆和耳机上亦有采用此技术。
联发科和海思的应用处理器（AP）也将跟进采用先进的封装方式，其他业者如大陆手机厂Oppo和Vivo也已经采用其他更新颖的技术。新的封装技术如雨后春笋般出现，重点均在于多元异质模组整合（heterogeneous integration），因为主机板空间越来越壅挤，芯片封装必须设法缩小尺寸。
在琳琅满目的新技术中，扇出型晶圆级封装（fan-out wafer-level packaging；FOWLP）运作了近10年之后，现在已成为移动市场的首选。第一代扇出型封装是采用英飞凌（Infineon）的嵌入式晶圆级球闸阵列（eWLB）技术，此为2009年由飞思卡尔（Freescale，现为恩智浦）所推出。
