一文带你全面了解俄歇电子能谱法！

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俄歇电子产额与原子序数的关系

由图可知，对于K层空穴Z<19，发射俄歇电子的几率在90％以上；随Z的增加，X射线荧光产额增加，而俄歇电子产额下降。 Z<33时，俄歇发射占优势。

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俄歇分析的选择

Z＜15的轻元素的K系俄歇电子以及所有元素的L系和M系俄歇电子产额都很高。 由此可见，俄歇电子能谱对轻元素的检测特别敏感和有效。

俄歇跃迁几率及荧光几率与原子序数的关系

对于Z≤14的元素，采用KLL俄歇电子分析；

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Z>42时，以采用MNN和MNO俄歇电子为佳。

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为什么说俄歇电子能谱分析是一种表面分析

方法且空间分辨率高？

（1）大多数元素在50~1000eV能量范围内都有产额较高的俄歇电子，它们的有效激发体积（空间分辨率）取决于入射电子束的束斑直径和俄歇电子的发射深度。

（2）能够保持特征能量（没有能量损失）而逸出表面的俄歇电子，发射深度仅限于表面以下大约2nm以内，约相当于表面几个原子层，且发射（逸出）深度与俄歇电子的能量以及样品材料有关。

（3）在这样浅的表层内逸出俄歇电子时，入射电子束的侧向扩展几乎尚未开始，故其空间分辨率直接由入射电子束的直径决定。

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俄歇电子能谱的分析技术

1、通过俄歇电子谱研究化学组态

（1）原子“化学环境”指原子的价态或在形成化合物时，与该(元素)原子相结合的其它(元素)原子的电负性等情况。如：原子发生电荷转移(如价态变化)引起内层能级变化，从而改变俄歇跃迁能量，导致俄歇峰位移；

（2）原子“化学环境”变化，不仅可能引起俄歇峰的位移(称化学位移)，也可能引起其强度的变化，这两种变化的交叠，则将引起俄歇峰(图)形状的改变。

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