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图 1展示了电子掺杂的WS2异质结的准粒子带结构。在(a)中，通过沉积钾原子实现了掺杂，(b)显示了WS2的布里渊区（BZ）和ARPES测量方向。在(c)中，显示了未掺杂的WS2的ARPES光谱，与其在强电子掺杂后的ARPES光谱相比。未掺杂的WS2呈现出局部价带最大值（VBM）和导带最小值（CBM），而强掺杂后CBM被填充，VBM形状被强烈重整化。在(d)中，显示了掺杂后CBM区域的详细放大图，CBM相对较宽。在(e)和(f)中，展示了WS2上方覆盖石墨烯层后的ARPES光谱。与未掺杂的情况相比，覆盖石墨烯层后，WS2的VBM能量向下移动，但形状未发生重整化。石墨烯的强掺杂伴随着WS2 CBM中相对较小的占据，并导致了形成尖锐的准粒子峰和晃动副本。这些结果表明，在WS2中引入石墨烯覆盖层可以显著改变电子结构，为二维材料异质结的电子和光学性质调控提供了新途径。

图图1：电子掺杂的WS2异质结的准粒子带。

在图2中，作者通过调节石墨烯上吸附的钾的量，从而逐步改变电荷载流子密度，以研究晃动带与Dirac锥的填充之间的关联。图2a展示了在不同石墨烯掺杂水平下的二阶导数ARPES强度，突出显示了相对微弱的晃动带相对于强准粒子峰的情况。图2b则呈现了能量分布曲线（EDCs），其中通过Lo2tzian分量的拟合显示了晃动带的位置和能量分隔。图2c提供了石墨烯Dirac锥和费米面的示意图，同时标记了通过ARPES测量获得的费米波矢kF。图2d展示了最大掺杂石墨烯/WS2的ARPES光谱，箭头标记了相应的kF值。而图2e则展示了晃动带的能量分隔随石墨烯掺杂量增加的变化情况，从中可以观察到能量分隔与掺杂量成正比关系。实验结果表明，晃动带的观察需要石墨烯的最小载流子密度，而随着掺杂水平的增加，晃动带的强度相对于主要准粒子峰的强度逐渐减弱。

图2：

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