松山湖材料实验室Nat. Commun.：用于先进电子器件的晶圆级2D半导体的Se介导干法转移

主要观点总结

文章介绍了二维半导体在下一代电子产品中的前景以及实现干净且完整的二维薄膜转移的挑战。张广宇研究员和李娜特聘研究员团队报道了一种使用硒作为中间层的方法，促进晶圆级二硫化钼单层在目标衬底上的转移。该方法使转移的二维半导体几乎百分之百保持薄膜完整性，并表现出卓越的电性能。此外，文章还涉及公司的服务和产品宣传。

关键观点总结

关键观点1: 研究团队使用硒作为中间层的方法实现了晶圆级二硫化钼单层的干净且完整的转移。

此方法实现了二维半导体薄膜的几乎百分之百完整性，具有优越的电性能表现。

关键观点2: 文章强调了干法转移技术用于制造高性能二维电子产品的可行性。

这种技术与标准半导体工艺完全兼容，为二维材料集成到先进的电子应用中铺平了道路。

关键观点3: 文献提供了相关的文献信息和文献链接。

为读者提供了查阅原文和了解更多相关研究的途径。

关键观点4: 公司宣传和服务介绍。

介绍了上海昂维科技有限公司提供的二维材料单晶和薄膜等耗材、器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务以及各种测试分析服务。

正文

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薄膜质量更好。基于这些转移薄膜制备的场效应晶体管（FET）和逻辑电路表现出卓越的电性能，包括开/关电流比高达2.7×10 ¹⁰ ，单个场效应晶体管的电子迁移率为71.3 cm ² ·V ^-1 ·s ^-1 。本文的研究结果强调了这种干法转移技术用于制造高性能2D电子产品的可行性，这种技术与标准半导体工艺完全兼容，为将2D材料集成到先进的电子应用中铺平了道路。

图文导读

图1. 晶圆级2D MoS ₂ 薄膜的Se介导干法转移。

图2. Se转移单层MoS ₂ 薄膜的材料表征。

图3. 基于Se转移MoS ₂ 薄膜的场效应晶体管（FET）的电学性能。

图4. 基于Se介导转移的MoS ₂ 薄膜的逻辑电路。

文献信息

Se-mediated dry transfer of wafer-scale 2D semiconductors for advanced electronics

（ Nat. Commun. , 2025, DOI:10.1038/s41467-025-59803-1）

文献链接：https://www.nature.com/articles/s41467-025-59803-1

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