闪存，还能有多快？

主要观点总结

本文介绍了中国科学家在存储速度方面的突破性成果，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院周鹏、刘春森团队成功研制出“破晓”闪存器件，擦写速度可达400皮秒，是迄今为止人类掌握的最快半导体电荷存储器件。该成果将带来潜在能效革命，有望突破短期记忆和长期记忆之间的界限，同时减少搬运能耗并提高算力效率。此外，“破晓”还采用了非传统材料，具有极高的灵活性和效率。

关键观点总结

关键观点1: 中国科学家成功研制出“破晓”闪存器件，擦写速度达到前所未有的水平。

复旦大学周鹏和刘春森团队开发出名为“破晓”的闪存器件，其擦写速度比传统闪存快百万倍。这种设备的速度能够实现在一秒内执行数十亿次操作。

关键观点2: “破晓”器件实现了数据的快速存储和读取，具有巨大的潜力。

该器件不仅实现了快速存储和读取数据的能力，还具有出色的可靠性和稳定性。即使在连续长时间运行和编程循环后，性能依然稳定。

关键观点3: “破晓”器件的突破将带来能效革命，可能重塑人工智能和其他行业。

这种突破性的技术将大大提高人工智能和其他计算密集型任务的效率。通过将数据迅速传输到计算单元，“破晓”器件能够大大减少等待时间并减少搬运能耗。

关键观点4: “破晓”器件采用了非传统材料和独特的无极限注入技术。

与传统的硅材料不同，“破晓”使用了极薄的二维材料——狄拉克石墨烯。此外，研究团队通过采用无极限注入技术，实现了电子的高速传输和高效写入。

关键观点5: 未来发展趋势和挑战并存，中国闪存产业面临重要机遇。

虽然“破晓”器件带来了巨大的潜力和机遇，但产业化和市场推广仍面临挑战。研究团队正在加速推进皮秒闪存器件的产业化，并努力将其应用于实际场景中。

正文

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” 就好比超音速的磁悬浮列车。

更重要的是，这样的高速并未牺牲可靠性。实验显示，“破晓”在连续长时间运行和编程循环后依然性能稳定。室温条件下，“破晓”可稳定存储数据超过 10 年，真正实现 “ 写得快 ” 又 “ 记得牢 ” 。

这样也意味着，它不仅能胜任高频读写的即时任务，像内存一样快速响应，还能像硬盘一样长久保存数据，突破短期记忆和长期记忆之间的“隔断”。

擦写速度冲破亚纳秒（小于 10-9 秒）大关的 “ 破晓 ” ，还带来了潜在的能效革命。常见的 AI 硬件约 70% 的能耗并非消耗在思考与计算上，而是让数据在内存与存储器之间来回 “ 折腾 ” 耗掉了。 “ 破晓 ” 的出现，让数据瞬移到计算单元成为可能，大大缩短等待时间，自然就减少了搬运的能耗，让算力可以聚焦于 “ 思考 ” 本身。

让电子坐上“火箭”

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