国产氮化镓明星企业陷入破产危机

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第三代半导体的发展困境

聚力成的困境并非孤例，而是第三代半导体行业共性问题的缩影。以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，因其高功率、高效率特性，被视为新能源、5G 通信等领域的关键技术。然而，技术研发与产业化之间存在巨大鸿沟。

从技术层面看，垂直 GaN 功率器件的研发是行业重点，阳极和阴极处于芯片不同平面上，导通电流竖向流动，使其在相同器件面积下，能通过增加漂移层厚度来提高电压等级，还能承受较高的电流密度，并且拥有雪崩保护的自我保护属性，在工业领域应用前景广阔。

但垂直 GaN面临晶圆尺寸小、缺陷控制难、衬底制造成本高等挑战，商业落地却困难重重。其中，衬底成本高是制约垂直 GaN 落地的关键因素之一。垂直 GaN 器件多基于 GaN 衬底制造，而 GaN 单晶衬底制备效率低，价格高昂。目前 2 英寸的 GaN 衬底价格高达 1.5 万元人民币，相较于 8 英寸硅外延片不到 300 元的市场价，成本劣势显而易见，这使得许多企业在量产前夕就因成本压力而折戟沉沙，聚力成半导体便是其中的典型代表。

尽管聚力成宣称掌握核心技术，但其重庆基地的量产规模远未达预期，最终仅实现了 3 条产线的量产，而盐城的 10 亿元扩产计划更是雷声大雨点小，迟迟未见实质性的推进。

无独有偶，国际同行如 NexGen Power Systems 虽获得美国能源部资助并与通用汽车合作，仍因资金链断裂于 2023 年破产，凸显该领域的高风险性。

从产业层面看，国内第三代半导体企业普遍面临 “卡脖子” 问题。尽管我国在衬底、外延等环节取得进展，但产业链协同不足制约了整体发展。聚力成的案例表明，即使拥有先进技术和资金支持，若无法有效整合产业链资源，仍难以实现规模化生产。

速度很重要，但更重要的是……

聚力成项目的落地曾被视为重庆大足高新区的 “招商引资亮点”。项目签约时，大足区政府与企业仅用 65 天实现开工，展现出 “大足速度”。然而，如今企业陷入危机，地方政府的产业扶持策略也面临考验。

在第三代半导体领域，地方政府的热情与行业的高风险性形成鲜明对比。重庆大足高新区在 “246” 现代制造业集群体系中，将集成电路及传感器列为重点培育产业，但如何平衡招商热情与风险防控，成为关键课题。聚力成的案例警示，地方政府在引进重大项目时，需加强对企业技术落地能力、资金使用效率的持续监管，避免 “重招商、轻管理”。

一方面，企业需警惕过度依赖融资扩张，应聚焦技术转化和产能落地，避免陷入 “概念炒作” 陷阱。例如，OKI 与信越化学通过技术合作降低垂直 GaN 制造成本，为行业提供了可行路径。另一方面，资本方需加强投后管理，关注企业实际运营状况，而非单纯追逐估值增长。

对于地方政府而言，需建立更完善的风险预警机制。例如，淮阴区法院在处理某半导体公司破产案时，通过 “府院联动” 机制实现资产盘活和产业链稳定，这种模式值得借鉴。此外，加强产学研合作，如大足区与重庆邮电大学的合作，有助于提升企业技术储备和人才培养能力。

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