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南智光电:基于硅基薄膜铌酸锂的电光调制器制备工艺取得突破

MEMS  · 公众号  ·  · 2025-05-29 07:00

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据介绍,该调制器在110GHz高频下的频率响应衰减仅约2dB,3dB带宽成功突破110GHz,显著优于现有主流技术路径,充分验证其在超宽频段内的低损耗、高保真能力。此次性能突破,得益于南智团队采用的硅衬底去除工艺,有效克服了传统硅基平台在高频下的寄生效应瓶颈,大幅降低微波传输损耗。该调制器的制备工艺可应用于硅光薄膜铌酸锂异质集成芯片的加工制备,为硅光-TFLN异质集成芯片提供了可扩展的核心技术路径,可满足高带宽并兼容硅光子平台的高密度集成需求。
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