突破半导体工艺极限?美科研人员实现1nm制程工艺

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▲ 创造1nm工艺技术的Lihua Zhang团队

这个实验室的科研人员创造性地使用了电子显微镜造出了比普通EBL（电子束印刷）工艺所能做出的更小的尺寸，电子敏感性材料在聚焦电子束的作用下尺寸大大缩小，达到了可以操纵单个原子的地步。他们造出的这个工具可以极大地改变材料的性能，从导电变成光传输以及在这两种状态下交互。

他们的这项成就是在能源部下属的功能纳米材料中心完成的，1nm印刷使用的是STEM（扫描投射电子显微镜），被隔开11nm，这样一来每平方毫米就能实现1万亿个特征点（features）的密度。通过偏差修正STEM在5nm半栅极在氢氧硅酸盐类抗蚀剂下实现了2nm分辨率。

PS：这些技术听上去激动人心，不过实验室研发的技术并不代表能很快商业化，布鲁克海文实验室的1nm工艺跟目前的光刻工艺有很多不同，比如使用的是电子束而非激光光刻，所用的材料也不是硅基半导体而是PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）之类的，下一步他们打算在硅基材料上进行尝试。

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