第三代半导体器件的测试挑战

半导体行业资讯 · 公众号 · 半导体 · 2020-11-22 22:44

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今年在国家发布的新基建中，5G通讯电源、新能源逆变器和电动汽车驱动等领域，SiC和GaN器件将得到越来越广泛的应用，这给工程师进行电源转换器产品设计带来更多的机遇，也带来了全新的设计挑战。本文将和大家探讨当下的行业现状以及如何攻克测试难题。

目前很多工程师在桥式电路设计中都是以低压侧开关特性来评价器件及设计驱动电路，因为有“接地”参考，似乎只要带宽满足，电压范围满足就可以了，但是事实上很多人忽略了其实高压侧和低压侧在驱动和特性本身并不是相同的，不能通过下管测试推算上管测试，但是为什么工程师不真正来测试高压侧Vgs呢？主要是因为目前没有合适的探头和方法能测试准确高压侧驱动信号，它会受到带宽限制，共模抑制比的限制，信号干扰等影响，所以只能用推测或者仿真等方式来预估，很大程度上增加了产品设计的不确定性，甚至存在很大安全隐患。

泰克作为测试仪器及方案的提供商，为了解决工程师的困扰，打造了全新的IsoVu光隔离探头来完成相关的测试挑战。

我们先看传统差分探头和IsoVu光隔离探头测试相同高压侧Vgs信号效果对比。如下图所示，灰色的波形是传统差分探头测试的效果，红色的波形是泰克TIVP光隔离探头测试的效果，能真实反馈高压侧Vgs的驱动波形，真实呈现工程师想了解的驱动波形，不用再依赖经验或者猜测。