科锐宣布扩产计划，将在纽约州建全球最大SiC制造工厂

半导体照明网 · 公众号 · 半导体 · 2019-09-24 15:03

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科锐将在美国纽约州Marcy建造一座全新的采用最先进技术并满足车规级标准的200mm功率和射频（RF）晶圆制造工厂，而与之相辅相成的超级材料工厂（mega materials factory）的建造扩产正在公司达勒姆总部开展进行。

这一新制造工厂是先前所宣布计划的一部分，旨在显著提升用于Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）业务的产能，将建设成为一座规模更大、高度自动化和更高生产能力的工厂。通过与纽约州州长（Andrew M. Cuomo）办公室以及其他州立与当地机构和实体的战略合作，公司决定在纽约州建造该新工厂，这将为科锐同时带来连续性的未来产能扩大和显著的净成本节约。

从而，科锐将继续推进从硅（Si）向碳化硅（SiC）技术的转型，满足公司开创性Wolfspeed技术日益提升的需求，支持电动汽车（EV）、4G/5G移动和工业市场的不断增长。

科锐首席执行官Gregg Lowe表示： “碳化硅（SiC）是我们这个时代最为关键的技术之一，是实现创新的核心，服务一系列当今最具开创性和革新性的市场，助力包括从内燃机向电动汽车（EV）的转型、超快速5G网络的部署等。这一采用最先进技术并满足车规级标准的晶圆制造工厂，基于我们30多年在实现突破性技术商业化方面的积淀，帮助我们的客户开发新一代应用。