让三星、海力士等不再垄断，中国半导体行业的突破口

硅谷密探 · 公众号 · 科技媒体 · 2017-01-20 08:02

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如此大的市场，对于中国企业来说无疑有着巨大的开拓潜力。

然而，目前DRAM超过90%的市场份额被三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）和美光（Micron）三家海外大企业霸占。更重要的是传统DRAM的最关键技术是电容存储单元，它不仅在制造上面临挑战，更重要的是被大量专利保护。为了进入DRAM市场，后发的中国厂商必须利用创新的替代方案，以推动竞争升级，争取实现差异化。

Kilopass的VLT技术将改变DRAM产业格局

2016年10月，Kilopass正式推出垂直分层晶闸管（Vertical Layered Thyristor, VLT）技术。该技术对于DRAM产业可谓是颠覆性的。

（拥有专利的VLT存储器技术）

DRAM技术自2010年以来就放缓了前进的步伐，原因是当前基于1个晶体管+1个电容器（1T1C）的存储单元结构不是一个合理的解决方案。摩尔定律不适用于电容！

而通过VLT技术，DRAM 制造成本将比目前顶尖的20纳米DRAM工艺降低45%。由于采用了垂直方式实现晶闸管架构，VLT使得存储单元变得更加紧凑。另外，VLT不需要复杂且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM的待机功耗可以降低10倍。最为关键的是，VLT无需任何电容，避开了传统DRAM制造中最大的挑战，即沟电容的制造，从而规避了相关的专利冲突。