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ISSCC跟踪：台积电与三星的7nm策略大不相同

半导体行业观察 · 公众号 · 半导体 · 2017-02-10 08:50

正文

台积电的商用SRAM将于今年进行试产（来源：ISSCC）

而产生的SRAM宏单元(macro)会是台积电的16纳米制程版本之0.34倍，采用了7层金属层，整体裸晶尺寸则是42mm见方；Chang的简报中，关键内容是这颗SRAM几乎已经「全熟」，他表示：「我们现在已经能以非常非常健康的良率生产…与我们的设计目标相符。」

三星的EUV进展

三星的进展则更偏向研究，开发的部分比较少；该公司打造了8 Mbit测试SRAM，只能看到未来商用7纳米制程的一小部分。

三星提供了其7纳米SRAM (上)会比10纳米SRAM (下)小30%的概念影像（来源：ISSCC）

该芯片就其本身而言并不是以EUV微影制作，三星开发了一种创新的维修(repair)制程，在现有的步进机以及EUV设备上都测试过，而并不令人惊讶的，EUV的效果比较好；一般来说维修并不是制程，因此这项成果对于三星正在进行的7纳米制程EUV微影技术开发情况，能透露的不多。

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