让中国“芯绞痛”只会适得其反，明年将是中国存储芯片生产元年！

全球局势战略纵横 · 公众号 · 军事 · 2018-04-23 10:52

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2016 年 7 月宣布在福建省晋江市建设 12 英寸晶元厂，投资金额约 53 亿美元，以目前进度来看，其普通存储芯片的试产延后至今年第三季度，计划在明年上半年量产。

此外，从中国厂商 NAND Flash 的发展进程来看， 2016 年 12 月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动工，计划分三个阶段，共建三座 3D-NAND Flash 厂房。第一阶段的厂房已去年 9 月完成建设，预计 2018 年第三季度开始搬入机台，第四季进行试产，初期投片量不超过 1 万片，用于生产 32 层 3D-NAND Flash 产品，并预计在自家的 64 层技术成熟后，再视情况拟定第二、第三期的生产计划。

观察中国存储芯片厂商的研发与产出计划， 2019 年将是中国存储芯片产业的生产元年，但也由于两家 DRAM 厂预估初期量产规模并不大，短期难以撼动全球市场现有格局。无论是 DRAM 还是 NAND 产品，各家都是初试啼声，相比耕耘多年的存储芯片大厂面临更多挑战，因此也不排除中国存储芯片厂量产时间比预期延后的可能性。

长期来看，随着中国存储芯片产品逐步成熟，预计 2020-2021 年两家 DRAM 厂商现有工厂将逐步满产，在最乐观的预估下，届时两家合计约有每月 25 万片的投片规模，可能将开始影响全球 DRAM 市场的供给。另一方面，长江存储计划设有三座厂房，总产能可能高达每月 30 万片，不排除长江存储完成 64 层产品开发后，可能将进行大规模的投产，进而在未来三到五年对 NAND Flash 的供给产生重大影响。