中国半导体制造论文仅1篇入选国际会议，日本16篇

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最终被采纳的论文有64篇，中国入围1篇

160篇论文中有64篇最终被大会采纳，其中美国有15篇，日本有10篇，韩国和台湾地区各有8篇入选。对中国来说，提交的18篇论文中只有1篇被采纳，只占全部论文中的1/64。

综观十年来的统计结果，中国被采纳的论文数量一直不多，2014年最多也就是3篇，2015年没有，2016年也是1篇。虽然说被采纳的论文跟这个国家或者地区的半导体技术实力不能绝对挂钩，但被采纳的论文越多，总体上依然能证明这个国家/地区的实力的，入围较多的美国、欧洲、韩国、韩国都是半导体制造工艺先进的国家和地区。

具体入围的单位和论文数量

具体来看，这次入围的64篇论文中，IMEC（比利时微电子中心）有7篇论文入选，蓝色巨人IBM有6篇论文入选，三星也有6篇，Globalfoundries是5篇，法国CEA-LETI学院是4篇，TSMC也有3篇，其他入围的也是一些科研机构或者学校，包括台湾交通大学、日本东京大学、新加坡国家科学院、美国普渡大学、圣母大学等等。

第一天讨论的话题

第一天的日程中，这些全球顶尖的半导体公司、学院讨论的都是未来的5nm工艺、Ge、III-V金属材料、10nm、2.5D/3D封装、芯片内缓存等技术，无一不是探讨有可能改变未来半导体工艺发展的新技术、新材料。

目前国内在半导体工艺上发展最先进的还是28nm，其中高性能的28nm HKMG工艺也只才刚开始，比三星、Intel、TSMC要落后两三代。前年在比利时国王访华时，国内的中芯国际、华为与高通、SEMI签署了合作协议，在IMEC的帮助下开发14nm FinFET工艺，预计在2020年前量产。

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