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CdS 纳米棒的 Cd² 主峰结合能发生正位移 ( 1b) ,表明 Ni P CdS 之间存在电子相互作用。 S 2p 谱也呈现类似的结合能位移 ( 1c) Ni 2p ( 1d) 显示 Ni P 中同时存在 Ni δ Ni² ,这些峰与 CdS 复合后发生负位移,证实电子从 CdS Ni P 转移。 P 2p 谱中 129.3 eV 133.8 eV 处的峰分别对应 Ni P 中的 P δ 和磷酸盐簇 ( PO ³ ) 中的 P⁵ 12NP/CdS P δ 的结合能低于纯 Ni P ,这与 Ni² 的观测结果一致。扫描电镜 (SEM) 图像显示 CdS NP/CdS 复合材料均保持纳米棒形貌。随着 Ni P 含量增加,附着在 CdS 纳米棒表面的 Ni P 纳米片变得更为明显。透射电镜 (TEM) 和高分辨 TEM(HRTEM) 分析证实,纯 CdS 呈纳米棒状,而 Ni P 呈纳米片状,两者均具有高结晶度和单一晶相。值得注意的是, 12NP/CdS TEM 图像显示 CdS 纳米棒被细小褶皱的 Ni P 纳米片包裹 ( 1e) HRTEM 图像中可清晰观察到间距分别为 0.33 nm 0.22 nm 的晶格条纹,分别对应 CdS (002) 晶面和 Ni P (111) 晶面 ( 1f) ,这与 XRD 结果共同证实了晶态 NP/CdS 复合材料的成功制备。此外, TEM 图像及相应的能量色散 X 射线谱 (EDS) 结果 ( 1g) 显示 Ni P 元素沿 CdS 纳米棒均匀分布,进一步佐证了 Ni P CdS 的相互作用。


2. 催化剂性能测试


通过在可见光 (λ>420 nm) 照射下耦合 BA 氧化 ( 生成苯甲醛 BAD 和氢化安息香 HB) CO 还原 ( 生成合成气 CO/H ) 的反应体系,系统评估了 xNP/CdS 复合材料的氧化还原催化性能。对照实验证实该过程为光驱动催化, ¹³CO 同位素标记实验明确显示产物 ¹³CO 源自 CO 还原。如图 2a 所示,纯 CdS 催化的 HB 产率仅为 ~2.3 μmol g ¹ h ¹ ,选择性 ~3.6% 。引入 Ni P 后,虽然氧化产物仍为 BAD HB( 未检测到安息香或脱氧安息香等副产物 ) ,但 HB 的生成速率和选择性均显著提升。其中 12NP/CdS 表现最优, HB 产率达 ~315.4 μmol g ¹ h ¹ ( 选择性 ~90%) 。与此同时,纯 CdS 催化 CO 还原的 CO H 生成速率分别为 ~56.4 ~2.1 μmol g ¹ h ¹ (CO/H 27:1)( 2b) 。而引入 1% Ni P 1NP/CdS 即可将 CO/H 比例降至 ~15:1 。随着 Ni P 含量增加, H 选择性持续提升, CO/H 比例呈下降趋势。 20NP/CdS 可实现 CO/H 2.6:1 的比例,特别适用于合成气发酵工业应用。值得注意的是, 12NP/CdS 在还原产物产率方面达到峰值 (CO~305.7 H ~40.2 μ mol g ¹ h ¹ ) ,其同步光催化 BA 氧化和 CO 还原的性能超越目前报道的大多数催化剂。而纯 Ni P 未检测到任何氧化 / 还原产物 ( 2a,b) ,证实其仅作为助催化剂, CdS 才是主要活性相。 Ni P 修饰策略具有普适性,可适用于其它光催化剂以及不同的芳香醇。对比实验表明, Ni P CdS 的物理混合 ( 搅拌或研磨 ) 未能改善催化性能,这直接证明了 Ni P 化学耦合的关键作用。








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