正文
Thin film transfer（薄膜转移）
使用物理或化学机制剥离LED基板，以一暂时基板承载LED磊晶薄膜层，再利用感应耦合等离子离子蚀刻，形成微米等级的Micro-LED磊晶薄膜结构；或者，先利用感应耦合等离子离子蚀刻，形成微米等级的Micro-LED磊晶薄膜结构，再使用物理或化学机制剥离LED基板，以一暂时基板承载LED磊晶薄膜结构。
最后，根据驱动电路基板上所需的显示划素点间距，利用具有选择性的转移治具，将Micro LED磊晶薄膜结构进行批量转移，键接于驱动电路基板上形成显示划素。
Micro-LED能否挑战LCD和OLED？
目前，Micro-LED可以形成两大应用方向，一个是以苹果为代表的可穿戴市场；苹果专攻Micro LED的小尺寸应用，看上了Micro LED显示技术公司LuxVue Technology，于2014年5月收购LuxVue，取得多项Micro LED专利技术，欲加快布局相关技术专利。当时苹果这项收购引发了市场关注，认为苹果可望在Apple Watch与iPhone上采用新一代的Micro LED技术，但因不愿过于依赖面板厂，于是转而将LuxVue收归麾下，以取得Micro LED领域的技术主导权。
一个是以Sony为代表的超大尺寸电视市场。2012年Sony发表的55寸“CrystalLEDDisplay”就是Micro LED Display技术类型，其FullHD解析度共使用约622万(1920x1080x3)颗micro LED做为高解析的显示划素，对比度可达百万比一，色饱和度可达140%NTSC，无反应时间和使用寿命问题。但是因采单颗Micro-LED嵌入方式，在商业化上，仍有不少的成本与技术瓶颈存在，以致于迄今未能量产。
今年Sony在CES展出的Micro-LED显示器──CLEDIS已在分辨率、亮度、对比都有极佳的表现，已为Micro-LED。
目前来看，Micro-LED市场集中在超小尺寸显示上。例如智能手机、智能手表、VR等。这些设备上，Micro-LED主要和OLED竞争。而后者现在已经有数千亿元的投资在路上，产能在大量形成。Micro-LED则还处于攻克最基本技术的门槛上。
更为重要的是，智能手机作为小尺寸应用的主要市场，对于Micro-LED而言依然意味着“尺寸偏大”，即成本偏高；VR作为最佳潜力股，需要极高的像素密度，OLED已经在发展1000PPI+的VR面板，这无疑加大了Micro-LED的制造难度；智能手表上显示的核心需要除了节能，并没有特别要求，但这一市场总容量会比较有限——因为它的单台显示面积很小。
所以，选择Micro-LED作为逆袭方向，首先是放弃中大尺寸显示市场；第二是核心技术“还在突破的路上”，恐怕时间不等人；第三是预期目标市场前有OLED后有QLED，“压力山大”。
Micro-LED的发展瓶颈
Micro-LED如果做成类似LED显示屏这样的显示面板，以数十英寸到上百英寸这样的面积，在技术上是可行的，但离商业化量产还要很远，就是需要更高速度的巨量转移技术，把一颗颗小型LED移到基板上，否则以现有技术与良率，要打造一台可用的显示器，费时过久，无法大规模量产。
根据LED inside统计，目前Micro-LED显示技术上带来的制造成本仍高达现有显示产品的3~4倍，因而厂商正积极透过增加产品附加价值，以及改善芯片、转移技术良率以达到成本下降目标，估计若要取代现有LCD产品还需3~5年的时间。
Micro- LED产品要求高波长均匀性，小间距用LED产品波长均一性更是要求严苛。目前量产标准下的蓝光LED波长均一性要求在±5~12nm，然而小间距显示屏波长均一性要求，甚至要低到±1-1.5 nm。如果是Micro LED，要求会更严格。
换言之，量产规模下，高精度转移制程去提升制程产率，至少须达到99.9%以上的水准，甚至是99.999%这样更好的状态。
这样一来，产业需要用到的PCB板，也要能够完成客制化的要求，透过细线宽/线距与小钻孔开发，借由这种超高密度线路，才有办法承载巨量Micro-LED画素，对消费者与用户来说，就可呈现高解析度、高画质的显示效果。
