虚拟摩尔定律来临，1nm晶体管有戏！

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时实现 1 兆美元的营收前景。他在日前于日本富山市举行的“ IEEE 亚洲固态电路会议”上发表《新芯片途径》 (A New Silicon Way) 一文，描绘了一个突破芯片传统线性微缩限制的新时代。

线性微缩明显已经达到实体极限了。卢超群指出，“人们经常说致力于 10nm 制程，但你其实找不到任何线宽达到 10nm 的这个等级。”

摆脱 2D 平面

这正是技术发展转而采取非线性路线的原因。2011年，英特尔 (Intel) 发布了三闸极 (Tri-gate) 技术，率先从平面开发的芯片上电晶体转向三维 (3D) 结构。采用 3D 结构后，即使是微缩 0.85 倍也能让电晶体密度达到像是以 2D 平面方式实现 0.5 倍微缩的效果，卢超群指出。

其它公司也纷纷追随这一趋势。东芝(Toshiba)建构了 48 个层 3D NAND ，这款记忆体已经用在苹果 (Apple) 的 iPhone 7 智慧型手机上。三星 (Samsung) 更进一步打造 64 层快闪记忆体元件。尽管其技术水准大约只有 32nm ，但实际上等同于 13nm 的效果，卢超群表示。

“我们现在正处于采用垂直电晶体的‘ Silicon 2.0 ’时代，微缩参数大约在 0.8

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