改革开放以来 我国集成电路产业整体实力快速提升

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封装业一直是国内实力较强的领域，近年来积极推进先进封装的发展，从中低端进入高端领域，竞争力大幅提升。根据中国半导体行业协会封装分会统计数据，2017年国内集成电路封测业销售收入由2016年的1523.2亿元增加至1816.6亿元，同比增长19.3%，国内IC封测业规模企业为96家，从业人数达15.6万。长电科技实现了高集成度和高精度SiP模组的大规模量产，通富微电率先实现7nm FC产品量产，华天科技开发了0.25mm超薄指纹封装工艺，实现了射频产品4G PA的量产。

关键装备和材料则实现了从无到有的转变，整体水平达到28纳米，部分产品进入14纳米~7纳米，被国内外生产线采用。目前，国内关键装备品种覆盖率达到31.1%，先进封装装备品种覆盖率80%。

在材料方面，200mm硅片产品品质显著提升，高品质抛光片、外延片开始进入市场。300mm硅片产业化技术取得突破，90纳米~65纳米产品通过用户评估，开始批量销售。测射耙材及超高纯金属材料取得整体性突破，形成相对完整的耙材产品体系。铜和阻挡层抛光液国内市场占有率超过50%，并进入国际市场。NF3、WF6等气体产业化技术达到世界领先，国内市占率超过70%，并进入国际市场。磷烷、砷烷和安全离子源产品形成自主供应能力。

积极追踪新材料技术步伐

新材料产业成为未来高新技术产业发展的先导和基石，其中，宽禁带半导体材料是新材料的代表之一。近年来，在国内企业、科研院所、高等院校等共同的努力下，建成或正在建设十余条4英寸～6英寸碳化硅芯片工艺线和6英寸～8英寸硅基氮化镓芯片工艺线，形成了技术积累，缩小了与国外先进水平的差距。

我国碳化硅外延材料的研发和产业化水平紧紧跟随国际水平，产品已打入国际市场。在产业化方面，我国20μm及以下的碳化硅外延材料产品水平接近国际先进水平；在碳化硅功率器件上，我国具备了1200V～3300V SiC MOSFET、1200V～4500V SiC JFET等芯片的研发能力，最大单芯片电流容量25A。目前国内有多家企业建成或正在建设多条碳化硅芯片工艺线，这些工艺线的投产，将会大大提升国内碳化硅功率器件的产业化水平。

我国在平面型氮化镓功率器件领域的发展紧跟国际步伐，晶圆尺寸以6英寸为主，并开发出了900V及以下电压等级的硅基氮化镓器件样品。近年来，国内也开始了垂直氮化镓功率器件的研发，开发了最高阻断电压1700V的氮化镓二极管样品。我国氮化镓射频器件近年来取得迅速发展，并已形成产业化公司，器件性能达到国际先进水平。

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